WMO16N65SR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMO16N65SR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WMO16N65SR
WMO16N65SR Datasheet (PDF)
wml16n65sr wmk16n65sr wmm16n65sr wmn16n65sr wmp16n65sr wmo16n65sr.pdf
WML16N65SR, W 65SR, WM SR WMK16N6 MM16N65S WMN16N65SR, WMP16N6 MO16N65S65SR, WM SR 650V 0.31 S unction P MOSFET0 Super Ju Power M TDescripptionWMOSTM SR is Wa new generation super ayons w junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G Tand low ga charge perfo
wml16n70sr wmk16n70sr wmm16n70sr wmn16n70sr wmp16n70sr wmo16n70sr.pdf
WML16N70SR, W 70SR, WM SR WMK16N7 MM16N70S WMN16N70SR, WMP16N7 MO16N70S70SR, WM SR 700V 0.31 S unction P MOSFET0 Super Ju Power M TDescripptionWMOSTM SR is Wa new generation super ayons w junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G Tand low ga charge perfo
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD