Справочник MOSFET. WMN16N70SR

 

WMN16N70SR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMN16N70SR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для WMN16N70SR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMN16N70SR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:664K  way-on
 wml16n70sr wmk16n70sr wmm16n70sr wmn16n70sr wmp16n70sr wmo16n70sr.pdf pdf_icon

WMN16N70SR

WML16N70SR, W 70SR, WM SR WMK16N7 MM16N70S WMN16N70SR, WMP16N7 MO16N70S70SR, WM SR 700V 0.31 S unction P MOSFET0 Super Ju Power M TDescripptionWMOSTM SR is Wa new generation super ayons w junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G Tand low ga charge perfo

 8.1. Size:661K  way-on
 wml16n65sr wmk16n65sr wmm16n65sr wmn16n65sr wmp16n65sr wmo16n65sr.pdf pdf_icon

WMN16N70SR

WML16N65SR, W 65SR, WM SR WMK16N6 MM16N65S WMN16N65SR, WMP16N6 MO16N65S65SR, WM SR 650V 0.31 S unction P MOSFET0 Super Ju Power M TDescripptionWMOSTM SR is Wa new generation super ayons w junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G Tand low ga charge perfo

Другие MOSFET... WMM16N65SR , WMN16N65SR , WMP16N65SR , WMO16N65SR , WML16N70D1B , WML16N70SR , WMK16N70SR , WMM16N70SR , IRF9540N , WMP16N70SR , WMO16N70SR , WML18N06TS , WML18N50C4 , WMO18N50C4 , WMK18N50C4 , WMN18N50C4 , WMM18N50C4 .

History: IRLI3803PBF | HSP0024A

 

 
Back to Top

 


 
.