WML18N06TS. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WML18N06TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для WML18N06TS
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WML18N06TS даташит
wml18n06ts.pdf
WML18N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML18N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features GDS TO-220F V = 60V, I = 18A DS D R
wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdf
WML18 WMK18N7 8N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N7 8N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFET V 0.24 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is
wmk18n50d1b wml18n50d1b wmj18n50d1b.pdf
WMK18N50D1B WML18N50D1B WMJ18N50D1B 500V 18A 0.28 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S G D S G D S
wml18n50c4 wmo18n50c4 wmk18n50c4 wmn18n50c4 wmm18n50c4 wmj18n50c4.pdf
WML18N50C4, WMO18N5 WM C4 W 50C4, MK18N50C WMN18N50C4, WMM18N50C4, WM C4 MJ18N50C 500V 0.25 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C
Другие MOSFET... WMO16N65SR , WML16N70D1B , WML16N70SR , WMK16N70SR , WMM16N70SR , WMN16N70SR , WMP16N70SR , WMO16N70SR , AON7410 , WML18N50C4 , WMO18N50C4 , WMK18N50C4 , WMN18N50C4 , WMM18N50C4 , WMJ18N50C4 , WML18N65EM , WMK18N65EM .
History: WMN28N65F2 | SM1A11NSK | AOB2144L
History: WMN28N65F2 | SM1A11NSK | AOB2144L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet





