WML18N65EM - описание и поиск аналогов

 

WML18N65EM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WML18N65EM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для WML18N65EM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WML18N65EM даташит

 ..1. Size:708K  way-on
wml18n65em wmk18n65em wmm18n65em wmn18n65em wmp18n65em wmo18n65em.pdfpdf_icon

WML18N65EM

WML18 WMK18N6 8N65EM, W 65EM, WMM18N65EM WMN18 WMP18N6 8N65EM, W 65EM, WMO18N65EM 650V Super Ju MOSFET V 0.24 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is

 8.1. Size:708K  way-on
wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdfpdf_icon

WML18N65EM

WML18 WMK18N7 8N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N7 8N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFET V 0.24 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is

 8.2. Size:1263K  way-on
wmk18n50d1b wml18n50d1b wmj18n50d1b.pdfpdf_icon

WML18N65EM

WMK18N50D1B WML18N50D1B WMJ18N50D1B 500V 18A 0.28 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S G D S G D S

 8.3. Size:990K  way-on
wml18n06ts.pdfpdf_icon

WML18N65EM

WML18N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML18N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features GDS TO-220F V = 60V, I = 18A DS D R

Другие MOSFET... WMO16N70SR , WML18N06TS , WML18N50C4 , WMO18N50C4 , WMK18N50C4 , WMN18N50C4 , WMM18N50C4 , WMJ18N50C4 , CS150N03A8 , WMK18N65EM , WMM18N65EM , WMN18N65EM , WMP18N65EM , WMO18N65EM , WML18N70EM , WMK18N70EM , WMM18N70EM .

History: 40N15G-TF1-T | NCE30H10 | 2SK2223-01 | 7N80G-TA3-T | PHD78NQ03L | NTD20N06T4 | WMK10N100C2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.