WML18N65EM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WML18N65EM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для WML18N65EM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WML18N65EM даташит
wml18n65em wmk18n65em wmm18n65em wmn18n65em wmp18n65em wmo18n65em.pdf
WML18 WMK18N6 8N65EM, W 65EM, WMM18N65EM WMN18 WMP18N6 8N65EM, W 65EM, WMO18N65EM 650V Super Ju MOSFET V 0.24 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is
wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdf
WML18 WMK18N7 8N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N7 8N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFET V 0.24 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is
wmk18n50d1b wml18n50d1b wmj18n50d1b.pdf
WMK18N50D1B WML18N50D1B WMJ18N50D1B 500V 18A 0.28 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S G D S G D S
wml18n06ts.pdf
WML18N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML18N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features GDS TO-220F V = 60V, I = 18A DS D R
Другие MOSFET... WMO16N70SR , WML18N06TS , WML18N50C4 , WMO18N50C4 , WMK18N50C4 , WMN18N50C4 , WMM18N50C4 , WMJ18N50C4 , CS150N03A8 , WMK18N65EM , WMM18N65EM , WMN18N65EM , WMP18N65EM , WMO18N65EM , WML18N70EM , WMK18N70EM , WMM18N70EM .
History: 40N15G-TF1-T | NCE30H10 | 2SK2223-01 | 7N80G-TA3-T | PHD78NQ03L | NTD20N06T4 | WMK10N100C2
History: 40N15G-TF1-T | NCE30H10 | 2SK2223-01 | 7N80G-TA3-T | PHD78NQ03L | NTD20N06T4 | WMK10N100C2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet





