WML18N70EM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WML18N70EM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO220F
WML18N70EM Datasheet (PDF)
wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdf

WML18 WMK18N78N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N78N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is
wmk18n50d1b wml18n50d1b wmj18n50d1b.pdf

WMK18N50D1B WML18N50D1B WMJ18N50D1B 500V 18A 0.28 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S G D S G D S
wml18n06ts.pdf

WML18N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWML18N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features GDSTO-220F V = 60V, I = 18A DS D R
wml18n50c4 wmo18n50c4 wmk18n50c4 wmn18n50c4 wmm18n50c4 wmj18n50c4.pdf

WML18N50C4, WMO18N5 WM C4 W 50C4, MK18N50CWMN18N50C4, WMM18N50C4, WM C4 MJ18N50C 500V 0.25 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C
Другие MOSFET... WMM18N50C4 , WMJ18N50C4 , WML18N65EM , WMK18N65EM , WMM18N65EM , WMN18N65EM , WMP18N65EM , WMO18N65EM , P60NF06 , WMK18N70EM , WMM18N70EM , WMN18N70EM , WMP18N70EM , WMO18N70EM , WML20N70D1 , WMK20N70D1 , WML25N50C4 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMH65R430ACFP | JMH65R400MPLNFD | JMH65R400MKFD | JMH65R400MFFD | JMH65R360PK | JMH65R360PF | JMH65R360MK | JMH65R360MF | JMH65R360AK | JMH65R360AF | JMH65R290APLN | JMH65R290AF | JMH65R290AEFDQ | JMH65R290AE | JMH65R290ACFP | JMSH1003TTL
Popular searches
2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427