Справочник MOSFET. WML20N70D1

 

WML20N70D1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WML20N70D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 66 nC
   trⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для WML20N70D1

 

 

WML20N70D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1344K  way-on
 wml20n70d1 wmk20n70d1.pdf

WML20N70D1 WML20N70D1

WML20N70D1 WMK20N70D1 700V 20A 0.42 N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications TAB requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G G D D S S Features Typ.R =0.42@V =10V

 8.1. Size:1271K  way-on
 wmj20n50d1 wmk20n50d1 wml20n50d1.pdf

WML20N70D1 WML20N70D1

WMJ20N50D1 WMK20N50D1 WML20N50D1500V 20A 0.22 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247 TO-220 TO-220FTABWMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOSTABfamily that is dramatic reduction inon-resistance and ultra-low gate charge forapplications requiring high power density andhigh efficiency. And it is very robust and RoHScompliant.G GGD DDS SSFeatures V =550V@

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top