WMO25N50C4 - описание и поиск аналогов

 

WMO25N50C4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO25N50C4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO25N50C4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO25N50C4 даташит

 ..1. Size:677K  way-on
wml25n50c4 wmo25n50c4 wmk25n50c4 wmn25n50c4 wmm25n50c4 wmj25n50c4.pdfpdf_icon

WMO25N50C4

WML25N50C4, WMO25N5 WM C4 W 50C4, MK25N50C WMN2 MJ25N50C 25N50C4, WMM25N50C4, WM C4 500V 0.125 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM

 8.1. Size:449K  way-on
wmo25n10t1.pdfpdf_icon

WMO25N50C4

WMO25N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO25N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. S G Features TO-252 V = 100V, I = 25A DS D R

 8.2. Size:628K  way-on
wmo25n06ts.pdfpdf_icon

WMO25N50C4

WMO25N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO25N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. S G Features TO-252 V = 60V, I = 25A DS D R

 9.1. Size:598K  way-on
wmo25p03ts.pdfpdf_icon

WMO25N50C4

WMO25P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO25P03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D S Features G V = -30V, I = -25A DS D TO-252 R

Другие MOSFET... WMK18N70EM , WMM18N70EM , WMN18N70EM , WMP18N70EM , WMO18N70EM , WML20N70D1 , WMK20N70D1 , WML25N50C4 , SI2302 , WMK25N50C4 , WMN25N50C4 , WMM25N50C4 , WMJ25N50C4 , WML25N65EM , WMK25N65EM , WMN25N65EM , WMM25N65EM .

History: SMK0825FC | 2SK293 | SM6012NSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.