Справочник MOSFET. WMO25N50C4

 

WMO25N50C4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO25N50C4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 22.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO25N50C4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:677K  way-on
 wml25n50c4 wmo25n50c4 wmk25n50c4 wmn25n50c4 wmm25n50c4 wmj25n50c4.pdf pdf_icon

WMO25N50C4

WML25N50C4, WMO25N5 WM C4 W 50C4, MK25N50CWMN2 MJ25N50C25N50C4, WMM25N50C4, WM C4 500V 0.125 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM

 8.1. Size:449K  way-on
 wmo25n10t1.pdf pdf_icon

WMO25N50C4

WMO25N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO25N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance. SGFeatures TO-252 V = 100V, I = 25A DS D R

 8.2. Size:628K  way-on
 wmo25n06ts.pdf pdf_icon

WMO25N50C4

WMO25N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO25N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Dsuperior switching performance. SGFeatures TO-252 V = 60V, I = 25A DS DR

 9.1. Size:598K  way-on
 wmo25p03ts.pdf pdf_icon

WMO25N50C4

WMO25P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMO25P03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DSFeatures G V = -30V, I = -25A DS D TO-252R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WMK18N70EM , WMM18N70EM , WMN18N70EM , WMP18N70EM , WMO18N70EM , WML20N70D1 , WMK20N70D1 , WML25N50C4 , IRFZ46N , WMK25N50C4 , WMN25N50C4 , WMM25N50C4 , WMJ25N50C4 , WML25N65EM , WMK25N65EM , WMN25N65EM , WMM25N65EM .

 

 
Back to Top

 


 
.