WMK25N50C4. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WMK25N50C4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для WMK25N50C4
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WMK25N50C4 даташит
wml25n50c4 wmo25n50c4 wmk25n50c4 wmn25n50c4 wmm25n50c4 wmj25n50c4.pdf
WML25N50C4, WMO25N5 WM C4 W 50C4, MK25N50C WMN2 MJ25N50C 25N50C4, WMM25N50C4, WM C4 500V 0.125 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM
wml25n65em wmk25n65em wmn25n65em wmm25n65em wmj25n65em.pdf
WML25N6 MK25N65EM W 65EM, WM WMN25 WMM25N6 MJ25N65EM 5N65EM, W 65EM, WM 650V 0.165 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf
wmk25n10t1.pdf
WMK25N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK25N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S Features D G TO-220 V = 100V, I = 25A DS D R
wmk25n06ts.pdf
WMK25N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK25N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S Features D G TO-220 V = 60V, I = 25A DS D R
Другие MOSFET... WMM18N70EM , WMN18N70EM , WMP18N70EM , WMO18N70EM , WML20N70D1 , WMK20N70D1 , WML25N50C4 , WMO25N50C4 , AO3407 , WMN25N50C4 , WMM25N50C4 , WMJ25N50C4 , WML25N65EM , WMK25N65EM , WMN25N65EM , WMM25N65EM , WMJ25N65EM .
History: 3N70G-TN3-R | IRF8513 | IRF8910 | JCS10N70C
History: 3N70G-TN3-R | IRF8513 | IRF8910 | JCS10N70C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115






