WMJ25N50C4 - описание и поиск аналогов

 

WMJ25N50C4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMJ25N50C4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для WMJ25N50C4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ25N50C4 даташит

 ..1. Size:677K  way-on
wml25n50c4 wmo25n50c4 wmk25n50c4 wmn25n50c4 wmm25n50c4 wmj25n50c4.pdfpdf_icon

WMJ25N50C4

WML25N50C4, WMO25N5 WM C4 W 50C4, MK25N50C WMN2 MJ25N50C 25N50C4, WMM25N50C4, WM C4 500V 0.125 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM

 8.1. Size:650K  way-on
wml25n65em wmk25n65em wmn25n65em wmm25n65em wmj25n65em.pdfpdf_icon

WMJ25N50C4

WML25N6 MK25N65EM W 65EM, WM WMN25 WMM25N6 MJ25N65EM 5N65EM, W 65EM, WM 650V 0.165 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf

 8.2. Size:668K  way-on
wml25n80m3 wmm25n80m3 wmn25n80m3 wmj25n80m3 wmk25n80m3.pdfpdf_icon

WMJ25N50C4

WML25N8 MM25N80M 80M3, WM M3 WMN2 80M3, WM M3 25N80M3, WMJ25N8 MK25N80M 800V 0.21 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM M3 is Wayo neration 800 M on s 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga charge performanc WMOSTM

 8.3. Size:655K  way-on
wml25n70em wmk25n70em wmn25n70em wmm25n70em wmj25n70em.pdfpdf_icon

WMJ25N50C4

WML25N7 MK25N70EM W 70EM, WM WMN25 WMM25N7 MJ25N70EM 5N70EM, W 70EM, WM 700V 0.165 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf

Другие MOSFET... WMO18N70EM , WML20N70D1 , WMK20N70D1 , WML25N50C4 , WMO25N50C4 , WMK25N50C4 , WMN25N50C4 , WMM25N50C4 , IRF520 , WML25N65EM , WMK25N65EM , WMN25N65EM , WMM25N65EM , WMJ25N65EM , WML25N70EM , WMK25N70EM , WMN25N70EM .

History: L2N7002KN3T5G | 2SK4146-S19-AY | STD5N60DM2 | DMN3110S | 2SK693 | KX120N06 | IRF843FI

 

 

 

 

↑ Back to Top
.