WMJ25N65EM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WMJ25N65EM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для WMJ25N65EM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WMJ25N65EM даташит
wml25n65em wmk25n65em wmn25n65em wmm25n65em wmj25n65em.pdf
WML25N6 MK25N65EM W 65EM, WM WMN25 WMM25N6 MJ25N65EM 5N65EM, W 65EM, WM 650V 0.165 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf
wml25n50c4 wmo25n50c4 wmk25n50c4 wmn25n50c4 wmm25n50c4 wmj25n50c4.pdf
WML25N50C4, WMO25N5 WM C4 W 50C4, MK25N50C WMN2 MJ25N50C 25N50C4, WMM25N50C4, WM C4 500V 0.125 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM
wml25n80m3 wmm25n80m3 wmn25n80m3 wmj25n80m3 wmk25n80m3.pdf
WML25N8 MM25N80M 80M3, WM M3 WMN2 80M3, WM M3 25N80M3, WMJ25N8 MK25N80M 800V 0.21 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM M3 is Wayo neration 800 M on s 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga charge performanc WMOSTM
wml25n70em wmk25n70em wmn25n70em wmm25n70em wmj25n70em.pdf
WML25N7 MK25N70EM W 70EM, WM WMN25 WMM25N7 MJ25N70EM 5N70EM, W 70EM, WM 700V 0.165 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf
Другие MOSFET... WMK25N50C4 , WMN25N50C4 , WMM25N50C4 , WMJ25N50C4 , WML25N65EM , WMK25N65EM , WMN25N65EM , WMM25N65EM , 8N60 , WML25N70EM , WMK25N70EM , WMN25N70EM , WMM25N70EM , WMJ25N70EM , WML25N80M3 , WMM25N80M3 , WMN25N80M3 .
History: WMK18N70EM | LNTA7002NT1G
History: WMK18N70EM | LNTA7002NT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972




