WMJ25N70EM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMJ25N70EM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
trⓘ - Время нарастания: 41 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для WMJ25N70EM
WMJ25N70EM Datasheet (PDF)
wml25n70em wmk25n70em wmn25n70em wmm25n70em wmj25n70em.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WML25N7 MK25N70EM W 70EM, WMWMN25 WMM25N7 MJ25N70EM 5N70EM, W 70EM, WM 700V 0.165 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf
wml25n50c4 wmo25n50c4 wmk25n50c4 wmn25n50c4 wmm25n50c4 wmj25n50c4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WML25N50C4, WMO25N5 WM C4 W 50C4, MK25N50CWMN2 MJ25N50C25N50C4, WMM25N50C4, WM C4 500V 0.125 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM
wml25n65em wmk25n65em wmn25n65em wmm25n65em wmj25n65em.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WML25N6 MK25N65EM W 65EM, WMWMN25 WMM25N6 MJ25N65EM 5N65EM, W 65EM, WM 650V 0.165 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf
wml25n80m3 wmm25n80m3 wmn25n80m3 wmj25n80m3 wmk25n80m3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WML25N8 MM25N80M80M3, WM M3 WMN2 80M3, WM M3 25N80M3, WMJ25N8 MK25N80M 800V 0.21 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga charge performanc WMOSTM
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
![WMJ25N70EM](https://alltransistors.com/images/us.png)
![WMJ25N70EM](https://alltransistors.com/images/es.png)
![WMJ25N70EM](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FIR9N90FG | FIR9N65LG | FIR9N50FG | FIR96N08PG | FIR8N80FG | FIR8N70FG | FIR8N65FG | FIR8N60FG | FIR80N10LG | FIR80N08PG | FIR80N03LG | FIR7NS70ALG | FIR7NS70AFG | FIR7NS65AFG | FIR6N90FG | FIR6N70FG