Справочник MOSFET. WMJ25N80M3

 

WMJ25N80M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMJ25N80M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для WMJ25N80M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ25N80M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  way-on
 wml25n80m3 wmm25n80m3 wmn25n80m3 wmj25n80m3 wmk25n80m3.pdf pdf_icon

WMJ25N80M3

WML25N8 MM25N80M80M3, WM M3 WMN2 80M3, WM M3 25N80M3, WMJ25N8 MK25N80M 800V 0.21 S TV Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga charge performanc WMOSTM

 8.1. Size:677K  way-on
 wml25n50c4 wmo25n50c4 wmk25n50c4 wmn25n50c4 wmm25n50c4 wmj25n50c4.pdf pdf_icon

WMJ25N80M3

WML25N50C4, WMO25N5 WM C4 W 50C4, MK25N50CWMN2 MJ25N50C25N50C4, WMM25N50C4, WM C4 500V 0.125 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM

 8.2. Size:650K  way-on
 wml25n65em wmk25n65em wmn25n65em wmm25n65em wmj25n65em.pdf pdf_icon

WMJ25N80M3

WML25N6 MK25N65EM W 65EM, WMWMN25 WMM25N6 MJ25N65EM 5N65EM, W 65EM, WM 650V 0.165 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf

 8.3. Size:655K  way-on
 wml25n70em wmk25n70em wmn25n70em wmm25n70em wmj25n70em.pdf pdf_icon

WMJ25N80M3

WML25N7 MK25N70EM W 70EM, WMWMN25 WMM25N7 MJ25N70EM 5N70EM, W 70EM, WM 700V 0.165 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WML25N70EM , WMK25N70EM , WMN25N70EM , WMM25N70EM , WMJ25N70EM , WML25N80M3 , WMM25N80M3 , WMN25N80M3 , STP65NF06 , WMK25N80M3 , WML26N60F2 , WMO26N60F2 , WMK26N60F2 , WMN26N60F2 , WMM26N60F2 , WMJ26N60F2 , WML26N65F2 .

History: MMFTN3018W | STB200N4F3 | KIA18N50H-220F | IRL60S216 | SM4307PSKC-TRG | IRFP3710PBF | HY1506I

 

 
Back to Top

 


 
.