WMN30N80M3 - описание и поиск аналогов

 

WMN30N80M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMN30N80M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для WMN30N80M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMN30N80M3 даташит

 ..1. Size:663K  way-on
 wml30n80m3 wmk30n80m3 wmn30n80m3 wmm30n80m3 wmj30n80m3.pdf pdf_icon

WMN30N80M3

WML30N8 MK30N80M 80M3, WM M3 WMN3 MJ30N80M 30N80M3, WMM30N80M3, WM M3 800V 0.165 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM M3 is Wayo neration 800 M on s 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga charge performanc WMOSTM M3

 8.1. Size:656K  way-on
 wml30n65em wmk30n65em wmn30n65em wmm30n65em wmj30n65em.pdf pdf_icon

WMN30N80M3

WML30N6 MK30N65EM W 65EM, WM WMN30 WMM30N6 MJ30N65EM 0N65EM, W 65EM, WM 650V 0.135 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf

Другие MOSFET... WMJ28N65F2 , WML30N65EM , WMK30N65EM , WMN30N65EM , WMM30N65EM , WMJ30N65EM , WML30N80M3 , WMK30N80M3 , IRF4905 , WMM30N80M3 , WMJ30N80M3 , WML340N20HG2 , WML36N60C4 , WMK36N60C4 , WMN36N60C4 , WMM36N60C4 , WMJ36N60C4 .

History: IRF7343I

 

 

 

 

↑ Back to Top
.