WML08N70C4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WML08N70C4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для WML08N70C4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WML08N70C4 даташит

 ..1. Size:670K  way-on
 wmm08n70c4 wml08n70c4 wmo08n70c4 wmn08n70c4 wmp08n70c4 wmk08n70c4.pdf pdf_icon

WML08N70C4

WMM0 70C4, MO08N70C 08N70C4, WML08N7 WM C4 WMN0 70C4, MK08N70C 08N70C4, WMP08N7 WM C4 700V 0.65 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G and low ga charge performanc WM

 6.1. Size:668K  way-on
 wml08n70em wmk08n70em wmm08n70em wmn08n70em wmp08n70em wmo08n70em.pdf pdf_icon

WML08N70C4

WML08 WMK08N7 8N70EM, W 70EM, WMM08N70EM WMN08 WMP08N7 8N70EM, W 70EM, WMO08N70EM 700V Power M T V 0.8 Super Junction P MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is at

 8.1. Size:667K  way-on
 wmm08n60c4 wml08n60c4 wmo08n60c4 wmn08n60c4 wmp08n60c4 wmk08n60c4.pdf pdf_icon

WML08N70C4

WMM0 60C4, MO08N60C 08N60C4, WML08N6 WM C4 WMN0 60C4, MK08N60C 08N60C4, WMP08N6 WM C4 600V 0.65 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G and low ga charge performanc WM

 8.2. Size:668K  way-on
 wml08n65em wmk08n65em wmm08n65em wmn08n65em wmp08n65em wmo08n65em.pdf pdf_icon

WML08N70C4

WML08 WMK08N6 8N65EM, W 65EM, WMM08N65EM WMN08 WMP08N6 8N65EM, W 65EM, WMO08N65EM 650V 0.8 S unction Power M T V Super Ju MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WMK08N60C4, WMM08N65C4, WML08N65C4, WMO08N65C4, WMN08N65C4, WMP08N65C4, WMK08N65C4, WMM08N70C4, 7N60, WMO08N70C4, WMN08N70C4, WMP08N70C4, WMK08N70C4, WMM10N60C4, WML10N60C4, WMO10N60C4, WMN10N60C4