Справочник MOSFET. WMP80R1K5S

 

WMP80R1K5S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMP80R1K5S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для WMP80R1K5S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMP80R1K5S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  way-on
wmm80r1k5s wmn80r1k5s wmk80r1k5s wml80r1k5s wmp80r1k5s wmo80r1k5s.pdfpdf_icon

WMP80R1K5S

WMM8 1K5S, WM 5S 80R1K5S, WMN80R1 MK80R1K5WML8 1K5S, WM 5S 80R1K5S, WMP80R1 MO80R1K5 800V 1.26 S unction Power M TSuper Ju MOSFETDescripptionWMOSTM S is Way new generation super yons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D GG G and low gate charge performan WMO

 6.1. Size:669K  way-on
wmm80r1k0s wmn80r1k0s wmk80r1k0s wml80r1k0s wmp80r1k0s wmo80r1k0s.pdfpdf_icon

WMP80R1K5S

WMM8 1K0S, WM 0S 80R1K0S, WMN80R1 MK80R1K0WML8 1K0S, WM 0S 80R1K0S, WMP80R1 MO80R1K0 800V 0.87 S unction Power M TSuper Ju MOSFETDescripptionWMOSTM S is Way new generation super yons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D GG G and low gate charge performan WMO

 8.1. Size:661K  way-on
wmm80r720s wmn80r720s wmk80r720s wml80r720s wmp80r720s wmo80r720s.pdfpdf_icon

WMP80R1K5S

WMM R720S, WM 0S M80R720S, WMN80R MK80R720WML R720S, WM 0S L80R720S, WMP80R MO80R720 800V 0.68 S unction Power M TSuper Ju MOSFETDescripptionWMOSTM S is Way new generation super yons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D GG G and low gate charge performan WMO

Другие MOSFET... WMK80R1K0S , WML80R1K0S , WMP80R1K0S , WMO80R1K0S , WMM80R1K5S , WMN80R1K5S , WMK80R1K5S , WML80R1K5S , IRF1010E , WMO80R1K5S , WMM80R720S , WMN80R720S , WMK80R720S , WML80R720S , WMP80R720S , WMO80R720S , WMM90N08TS .

History: STB30N65M5 | FCD900N60Z | FDD5N60NZ | FDMC86260 | STH310N10F7-2 | IRFB4410PBF | TMA20N65HG

 

 
Back to Top

 


 
.