FDPF8N50NZU - описание и поиск аналогов

 

FDPF8N50NZU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDPF8N50NZU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для FDPF8N50NZU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDPF8N50NZU даташит

 ..1. Size:677K  fairchild semi
 fdp8n50nzu fdpf8n50nzu.pdf pdf_icon

FDPF8N50NZU

February 2010 UniFET-IITM FDP8N50NZU / FDPF8N50NZU tm N-Channel MOSFET 500V, 6.5A, 1.2 Features Description RDS(on) = 1.0 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 3.25A This N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS Low Gate Charge ( Typ. 14nC) technology. Low Crss ( Typ. 5pF) This advance t echnology

 4.1. Size:719K  fairchild semi
 fdp8n50nz fdpf8n50nzt.pdf pdf_icon

FDPF8N50NZU

October 2009 UniFETTM FDP8N50NZ / FDPF8N50NZT N-Channel MOSFET 500V, 8A, 0.85 Features Description RDS(on) = 0.77 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 4A This N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS Low Gate Charge ( Typ. 14nC) technology. Low Crss ( Typ. 5pF) This advance technology has been

 4.2. Size:245K  fairchild semi
 fdp8n50nz fdpf8n50nz fdpf8n50nzt.pdf pdf_icon

FDPF8N50NZU

March 2010 UniFETTM FDP8N50NZ / FDPF8N50NZ tm N-Channel MOSFET 500V, 8A, 0.85 Features Description RDS(on) = 0.77 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 4A This N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS Low Gate Charge ( Typ. 14nC) technology. Low Crss ( Typ. 5pF) This advance technology has been es

 4.3. Size:236K  fairchild semi
 fdp8n50nzf fdpf8n50nzf.pdf pdf_icon

FDPF8N50NZU

February 2010 UniFET-IITM FDP8N50NZF / FDPF8N50NZF tm N-Channel MOSFET 500V, 7A, 1 Features Description RDS(on) = 0.85 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 3.25A This N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS Low Gate Charge ( Typ. 14nC) technology. Low Crss ( Typ. 5pF) This advance technology has

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STF620S , FDPF6N60ZUT , STF445 , FDPF770N15A , FDPF7N60NZ , STF443 , FDPF8N50NZ , FDPF8N50NZF , IRF4905 , FDPF8N60ZUT , STF2459A , FDQ7236AS , STF2458A , FDQ7238AS , STF2458 , FDS2572 , FDS2582 .

History: CMD50P03

 

 

 

 

↑ Back to Top
.