WMP90R1K5S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMP90R1K5S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для WMP90R1K5S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMP90R1K5S даташит

 ..1. Size:668K  way-on
 wmm90r1k5s wmn90r1k5s wmk90r1k5s wml90r1k5s wmp90r1k5s wmo90r1k5s.pdf pdf_icon

WMP90R1K5S

WMM9 1K5S, WM 5S 90R1K5S, WMN90R1 MK90R1K5 WML9 1K5S, WM 5S 90R1K5S, WMP90R1 MO90R1K5 900V 1.28 S unction Power M T Super Ju MOSFET Descrip ption WMOSTM S is Way new generation super yon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G and low gate charge performan WMO

Другие IGBT... WML80R720S, WMP80R720S, WMO80R720S, WMM90N08TS, WMM90R1K5S, WMN90R1K5S, WMK90R1K5S, WML90R1K5S, 5N65, WMO90R1K5S, WMM95P06TS, WMMB020N10HG4, WMN22N50C4, WMM22N50C4, WMJ22N50C4, WMO22N50C4, WMK22N50C4