WMK22N50C4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMK22N50C4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для WMK22N50C4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK22N50C4 даташит

 ..1. Size:671K  way-on
 wmn22n50c4 wmm22n50c4 wmj22n50c4 wmo22n50c4 wmk22n50c4 wml22n50c4.pdf pdf_icon

WMK22N50C4

WMN22N50C4, WMM22N MJ22N50C N50C4, WM C4 WMO22N50C4, WMK22N ML22N50C N50C4, WM C4 500V n Power MOSFET V 0.22 Super Junction Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

 9.1. Size:606K  way-on
 wmk220n20hg3.pdf pdf_icon

WMK22N50C4

WMK220N20HG3 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK220N20HG3 uses Wayon's 3nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. S D Features G TO-220 V = 200V, I =

Другие IGBT... WMP90R1K5S, WMO90R1K5S, WMM95P06TS, WMMB020N10HG4, WMN22N50C4, WMM22N50C4, WMJ22N50C4, WMO22N50C4, STP80NF70, WML22N50C4, WMO030N06HG4, WMO030N06LG4, WMO048NV6HG4, WMO048NV6LG4, WMO053NV8HGS, WMO060N10HGS, WMO080N10HG2