WMK22N50C4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMK22N50C4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для WMK22N50C4
WMK22N50C4 Datasheet (PDF)
wmn22n50c4 wmm22n50c4 wmj22n50c4 wmo22n50c4 wmk22n50c4 wml22n50c4.pdf
WMN22N50C4, WMM22N MJ22N50CN50C4, WM C4 WMO22N50C4, WMK22N ML22N50CN50C4, WM C4 500V n Power MOSFETV 0.22 Super JunctionDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4
wmk220n20hg3.pdf
WMK220N20HG3 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK220N20HG3 uses Wayon's 3nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDFeatures GTO-220 V = 200V, I =
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918