WMO18P10TS. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WMO18P10TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WMO18P10TS
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WMO18P10TS даташит
wmo18p10ts.pdf
WMO18P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO18P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features S V = -100V, I = -18A G DS D TO-252 R
wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdf
WML18 WMK18N7 8N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N7 8N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFET V 0.24 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is
wml18n50c4 wmo18n50c4 wmk18n50c4 wmn18n50c4 wmm18n50c4 wmj18n50c4.pdf
WML18N50C4, WMO18N5 WM C4 W 50C4, MK18N50C WMN18N50C4, WMM18N50C4, WM C4 MJ18N50C 500V 0.25 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C
wml18n65em wmk18n65em wmm18n65em wmn18n65em wmp18n65em wmo18n65em.pdf
WML18 WMK18N6 8N65EM, W 65EM, WMM18N65EM WMN18 WMP18N6 8N65EM, W 65EM, WMO18N65EM 650V Super Ju MOSFET V 0.24 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is
Другие IGBT... WMO140NV6LG4, WMO15N10T1, WMO15N12TS, WMO15N15T1, WMO15N25T2, WMO175N10HG4, WMO175N10LG4, WMO18N20T2, IRF9640, WMO190N03TS, WMO190N15HG4, WMO20N15T2, WMO20P04T1, WMO20P15TS, WMO240N10LG2, WMO25N06TS, WMO25N10T1
History: WMO10N70C4 | WMO060N10HGS | SPMT9200F | AM2371P | RMW130N03 | WMP08N60C4 | 4N80G-TF2-T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet





