WMAA2N100D1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WMAA2N100D1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для WMAA2N100D1
WMAA2N100D1 Datasheet (PDF)
wmo2n100d1 wmaa2n100d1.pdf

WMO2N100D1 WMAA2N100D1 1000V 2A 6.3 N-ch Power MOSFET Description TO-252 TO-251-L9.4 WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. D G S G Features D S V =1050V
Другие MOSFET... WMO240N10LG2 , WMO25N06TS , WMO25N10T1 , WMO25P03TS , WMO25P04TS , WMO25P06T1 , WMO28N15T2 , WMO2N100D1 , IRF3205 , WMO30P03TS , WMO30P10TS , WMO35N06T1 , WMO35P04T1 , WMO35P06TS , WMO40N04TS , WMO50P03T1 , WMO50P04T1 .
History: DH90N045R | DH850N10I | KRF7105 | WMO28N15T2 | IRFHM8363PBF | AP2306AGN-HF | APQ13SN50AF
History: DH90N045R | DH850N10I | KRF7105 | WMO28N15T2 | IRFHM8363PBF | AP2306AGN-HF | APQ13SN50AF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c