Справочник MOSFET. WMQ048NV6LG4

 

WMQ048NV6LG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ048NV6LG4
   Маркировка: 048V6L4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 735 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ048NV6LG4

 

 

WMQ048NV6LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:616K  way-on
 wmq048nv6lg4.pdf

WMQ048NV6LG4 WMQ048NV6LG4

WMQ048NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription DDDDDD DWMQ048NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench SGSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize SSSGSthe on-state resistance and yet maintain superior switching PDFN3030-8Lperformance. This device is well suited for high efficiency fast switching ap

 5.1. Size:660K  way-on
 wmq048nv6hg4.pdf

WMQ048NV6LG4 WMQ048NV6LG4

WMQ048NV6HG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ048NV6HG4 uses Wayon's 4th generation power trench SMOSFET technology that has been especially tailored to minimize GSSSSGthe on-state resistance and yet maintain superior switching Sperformance. This device is well suited for high efficiency fast PDFN3030-8Lswitching a

 9.1. Size:616K  way-on
 wmq040n03lg2.pdf

WMQ048NV6LG4 WMQ048NV6LG4

WMQ040N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DDDDDDD DWMQ040N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGStechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This PDFN3030-8Ldevice is well suited for high efficiency fast switching appl

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top