Справочник MOSFET. STF2455

 

STF2455 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STF2455
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 139 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 422 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: TDFN2X3
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF2455 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  samhop
 stf2455.pdf pdf_icon

STF2455

GreenProductSTF2455aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.6.2 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.6.3 @ VGS=4.0V 24V 13A 6.5 @ VGS=3.7V ESD Protected.7.0 @ VGS=3.1V8.5 @ VGS=2.5VD DDDG GST D

 8.1. Size:100K  samhop
 stf2458.pdf pdf_icon

STF2455

GreenProductSTF2458aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.9.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.10.2 @ VGS=4.0V 24V 10A 10.4 @ VGS=3.7V ESD Protected.11.5 @ VGS=3.1V14.0 @ VGS=2.5VG2Bottom Drain

 8.2. Size:96K  samhop
 stf2459a.pdf pdf_icon

STF2455

GreenProductSTF2459AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.6.2 @ VGS=10VSuface Mount Package.7.5 @ VGS=4.5V ESD Protected.8.0 @ VGS=4.0V 24V 12A8.6 @ VGS=3.7V10.3 @ VGS=3.1V16.3 @ VGS=2.5V

 8.3. Size:92K  samhop
 stf2456.pdf pdf_icon

STF2455

GreerrPPrPrProdSTF2456aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.18.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.20.0 @ VGS=4.0V24V 7.0A 20.5 @ VGS=3.7V ESD Protected.22.5 @ VGS=3.1V28.0 @ VGS=2.5VG2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STF2458A , FDQ7238AS , STF2458 , FDS2572 , FDS2582 , FDS2670 , STF2456 , FDS2672 , 4435 , FDS2672F085 , STF2454A , FDS2734 , FDS3512 , FDS3572 , FDS3590 , FDS3672 , STF2454 .

History: IRFB9N30A | 2SK740

 

 
Back to Top

 


 
.