WMS15N03T1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WMS15N03T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для WMS15N03T1
WMS15N03T1 Datasheet (PDF)
wms15n03t1.pdf

WMS15N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS15N03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = 30V, I = 15A DS DR
wms15p02t1.pdf

WMS15P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWMS15P02T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Dyet maintain superior switching performance. SFeatures SSG V = -20V, I = -15A DS DSOP-8LR
Другие MOSFET... WMS11P04T1 , WMS12P03T1 , WMS13N03T1 , WMS13P04T1 , WMS140DNV6LG4 , WMS140NV6LG4 , WMS14DN03T1 , WMS14P03T1 , AO3400 , WMS15P02T1 , WMS175DN10LG4 , WMS175N10HG4 , WMS175N10LG4 , WMS17P03TS , WMS240N10LG2 , WMS690N15HG2 , WMT04N10TS .
History: IXFP130N10T | VBFB16R04 | PP4B10BS | NTMFD6H846NLT1G | AP15N03GI | WMS10DN04TS | SSP80R160S2
History: IXFP130N10T | VBFB16R04 | PP4B10BS | NTMFD6H846NLT1G | AP15N03GI | WMS10DN04TS | SSP80R160S2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350