SL12N100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SL12N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 116 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
SL12N100 Datasheet (PDF)
sl12n100t sl12n100k sl12n100 sl12n100f.pdf
SL12N100 Features Low gate charge Low C (typ 13pF) rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product Applications High frequency switching mode power supply Electronic ballast based on half bridge LED power supplies Absolute Ratings (Tc=25 ) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage V 1000 V DSS 12 A I T
sl12n10.pdf
SL12N10 100V/12A N-Channel MOSFET Features Super high density cell design Product Summary for extremely low RDS(ON) VDS RDS(ON) MAX ID MAX Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 160m @10V D2 S1 100V 12A D1 180m @4.5V Application Power Management in Note book DC/DC Converter D Load Switch LCD Display inverter D D G S
Другие MOSFET... SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A , SL10N10A , SL10P04S , SL120N03R , SL12N10 , RFP50N06 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F .
History: MTP4411M3 | PTD7N65 | SI9955DY | SD210DE | ZVN4210ASTOA | TSK65R190S2 | PTN3006
History: MTP4411M3 | PTD7N65 | SI9955DY | SD210DE | ZVN4210ASTOA | TSK65R190S2 | PTN3006
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet



