SL12N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL12N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 116 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SL12N100 Datasheet (PDF)
sl12n100t sl12n100k sl12n100 sl12n100f.pdf

SL12N100Features Low gate charge Low C (typ 13pF)rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS productApplications High frequency switching mode power supply Electronic ballast based on half bridge LED power suppliesAbsolute Ratings (Tc=25)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage V 1000 VDSS12 AI T
sl12n10.pdf

SL12N10 100V/12A N-Channel MOSFETFeatures Super high density cell design Product Summaryfor extremely low RDS(ON) VDS RDS(ON) MAX ID MAX Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 160m@10VD2S1100V 12AD1180m@4.5VApplication Power Management in Note book DC/DC Converter D Load Switch LCD Display inverter DDGS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRF9Z34NSPBF | BL2N60-A
History: IRF9Z34NSPBF | BL2N60-A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet