SL12N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SL12N100  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 116 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SL12N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL12N100 даташит

 ..1. Size:4585K  slkor
 sl12n100t sl12n100k sl12n100 sl12n100f.pdf pdf_icon

SL12N100

SL12N100 Features Low gate charge Low C (typ 13pF) rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product Applications High frequency switching mode power supply Electronic ballast based on half bridge LED power supplies Absolute Ratings (Tc=25 ) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage V 1000 V DSS 12 A I T

 7.1. Size:730K  slkor
 sl12n10.pdf pdf_icon

SL12N100

SL12N10 100V/12A N-Channel MOSFET Features Super high density cell design Product Summary for extremely low RDS(ON) VDS RDS(ON) MAX ID MAX Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 160m @10V D2 S1 100V 12A D1 180m @4.5V Application Power Management in Note book DC/DC Converter D Load Switch LCD Display inverter D D G S

Другие IGBT... SL05N10A, SL1002B, SL100N03R, SL10N06A, SL10N10A, SL10P04S, SL120N03R, SL12N10, 18N50, SL12N100F, SL12N100K, SL12N100T, SL12P03S, SL15N10A, SL160N03R, SL18N20, SL18N50F