STE339S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STE339S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14.7 nC
Время нарастания (tr): 18.2 ns
Выходная емкость (Cd): 163 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0105 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
STE339S Datasheet (PDF)
ste339s.pdf
GreenProductSTE339SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.10.5 @ VGS=10V30V 12ASurface Mount Package.15 @ VGS=4.5V 5 6 7 8PIN 11 2 3 4Power Pak 5 x 6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C
ste334s.pdf
GreenProductSTE334SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.4.7 @ VGS=10V30V 18ASurface Mount Package.8.3 @ VGS=4.5V 5 6 7 8PIN 11 2 3 4Power Pak 5 x 6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C
ste336s.pdf
GreenProductSTE336SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.4.7 @ VGS=10V30V 22ASurface Mount Package.8.7 @ VGS=4.5V 5 6 7 8PIN 11 2 3 4Power Pak 5 x 6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
