Справочник MOSFET. SL2P03F

 

SL2P03F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SL2P03F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8.5 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 47 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для SL2P03F

 

 

SL2P03F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1417K  slkor
 sl2p03f.pdf

SL2P03F SL2P03F

SL2P03FP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The SL2P03F uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), This device is suitable for use as a loadswitch or in PWM applications.General Features VDS = -30V,ID = -2.0A DRDS(ON)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: GSM2309A

 

 
Back to Top