SL2P03F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL2P03F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SL2P03F Datasheet (PDF)
sl2p03f.pdf

SL2P03FP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The SL2P03F uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), This device is suitable for use as a loadswitch or in PWM applications.General Features VDS = -30V,ID = -2.0A DRDS(ON)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE
History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198