SL50N06D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL50N06D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO252
SL50N06D Datasheet (PDF)
sl50n06d sl50n06i.pdf
SL50N06D/SL50N06I N-Channel 60-V(D-S) Power MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID Equivalent Circuit:60 V 20m@ 10 V50AGeneral Description:2 SL50N06D The high voltage MOSFET uses an advanced termination 3scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche
sl50n02d.pdf
SL50N02D 20V/50A N-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures High density cell design for ultra low Rdson VDS RDS(ON) MAX ID MAX Fully characterized avalanche voltage and 10m@4.5VD220V S1 50AcurrentD113m@2.5V Good stability and uniformity with high EASD Excellent package for good heat dissipationApplication Load switching Hard switched and high
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
