Справочник MOSFET. 2SK2912

 

2SK2912 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK2912
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: LDPAK

 Аналог (замена) для 2SK2912

 

 

2SK2912 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  renesas
 2sk2912.pdf

2SK2912 2SK2912

2SK2912(L), 2SK2912(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1038-0200 (Previous: ADE-208-495A) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS = 15 m typ. High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-A RENESAS Package code: PRSS0004AE-B(Package name: LDPAK(L

 0.1. Size:109K  renesas
 rej03g1038 2sk2912lsds.pdf

2SK2912 2SK2912

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 0.2. Size:281K  inchange semiconductor
 2sk2912l.pdf

2SK2912 2SK2912

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2912LFEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 20m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS

 0.3. Size:355K  inchange semiconductor
 2sk2912s.pdf

2SK2912 2SK2912

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2912SFEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 20m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS

Другие MOSFET... 2SK2804 , 2SK2805 , 2SK2848 , 2SK2849-01L , 2SK2849-01S , 2SK2851 , 2SK2869 , 2SK2885 , 4N60 , 2SK2925 , 2SK2926 , 2SK2927 , 2SK2928 , 2SK2929 , 2SK2930 , 2SK2931 , 2SK2932 .

 

 
Back to Top