SSL60R099SFD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSL60R099SFD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
Тип корпуса: TOLL
Аналог (замена) для SSL60R099SFD
SSL60R099SFD Datasheet (PDF)
ssl60r099sfd.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySSL60R099SFDRev. 1.0May. 2023www.supersemi.com.cnSSL60R099SFD600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ
ssl60r190sfd.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySSL60R190SFDRev. 1.0Dec. 2023www.supersemi.com.cnSSL60R190SFD600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryFeaturesDescription Multi-Epi process SJ-FETSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET famil
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918