Справочник MOSFET. STB438A

 

STB438A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB438A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STB438A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  samhop
stb438a stp438a.pdfpdf_icon

STB438A

GreenProductSTB/P438AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDHigh power and current handling capability.8.5 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.40V 60A11 @ VGS=4.5VS TB S E R IE S S TP S E R IE STO-263

 8.1. Size:262K  samhop
stb438s stp438s.pdfpdf_icon

STB438A

GreenProductSTB/P438SaS mHop Microelectronics C orp.Ver1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDHigh power and current handling capability.9 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.40V 60A10 @ VGS=4.5VS TB S E R IE S S TP S E R IE STO-263(DD

 9.1. Size:252K  samhop
stb434s stp434s.pdfpdf_icon

STB438A

GreenProductSTB/P434SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9.2 @ VGS=10VTO-220 and TO-263 Package.60A40V11.5 @ VGS=4.5VDGSTB SERIESSTP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220S(TA=25C

 9.2. Size:237K  samhop
stb432s stp432s.pdfpdf_icon

STB438A

STB/P432SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDHigh power and current handling capability.9 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.40V 60A11 @ VGS=4.5VS TB S E R IE S S TP S E R IE STO-263(DD-PAK) TO-220(TC=25

Другие MOSFET... FDS4488 , STD12L01 , FDS4501H , STB458D , STB440S , FDS4559 , STB438S , FDS4559F085 , 8N60 , FDS4672A , FDS4675F085 , FDS4685 , FDS4897AC , STB434S , FDS4897C , STB432S , FDS4935A .

History: 2N4392CSM | NTB5404N | MTED6N25J3 | MTE130N20FP | QS8K13 | TK3A60DA | TTP118N08A

 

 
Back to Top

 


 
.