Справочник MOSFET. SWD20N20D

 

SWD20N20D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWD20N20D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 188 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SWD20N20D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD20N20D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:703K  samwin
 swd20n20d swi20n20d.pdf pdf_icon

SWD20N20D

SW20N20D N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET TO-252 TO-251 Features BVDSS : 200V ID : 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.16)@VGS=10V RDS(ON) : 0.16 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application:LED,DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Th

 9.1. Size:724K  samwin
 swd200r10vt swi200r10vt.pdf pdf_icon

SWD20N20D

SW200R10VT N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 36A Low RDS(ON) (Typ 19.5m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 19.5m@VGS=4.5V (Typ 18.7m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 86nC) 18.7m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 2 3 Application: Syn

Другие MOSFET... SWD110R03VT , SWD13N60K2 , SWD13N65K2 , SWD15N65J , SWD160R12VT , SWD19N10 , SWD1N60DC , SWD200R10VT , 4N60 , SWD2N40DC , SWD2N60DC , SWD2N65K , SWD2N70D , SWD3205B , SWD340R10VT , SWD3N80D , SWD4N40DC .

History: AOTF29S50L | WMM15N65C4 | ME2301 | SIA465EDJ | FDN371N | NCEP12T18 | RU30D20M2

 

 
Back to Top

 


 
.