Справочник MOSFET. SWD2N40DC

 

SWD2N40DC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWD2N40DC
   Маркировка: SW2N40DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SWD2N40DC

 

 

SWD2N40DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  samwin
 swsi2n40dc swd2n40dc.pdf

SWD2N40DC SWD2N40DC

SW2N40DC N-channel Enhanced mode TO-251S/TO-252 MOSFET Features TO-251S BVDSS : 400V TO-252 ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.8)@VGS=10V RDS(ON) : 2.8 Low Gate Charge (Typ 6.8nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 Application:DC-DC,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

 9.1. Size:576K  samwin
 swd2n60dc swi2n60dc.pdf

SWD2N40DC SWD2N40DC

SW2N60DC N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET BVDSS :600V Features TO-252 TO-251 ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ9.5nC) Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 2 Application:Charger,Adaptor,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descripti

 9.2. Size:1061K  samwin
 swn2n70d swd2n70d swl2n70d swf2n70d.pdf

SWD2N40DC SWD2N40DC

SW2N70D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-126/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-220F TO-251N TO-252 TO-126 ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5)@VGS=10V RDS(ON) : 5 Low Gate Charge (Typ 11nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application: Charger,LED 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

 9.3. Size:688K  samwin
 swn2n65k swd2n65k.pdf

SWD2N40DC SWD2N40DC

SW2N65K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-252 TO-251N ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9)@VGS=10V RDS(ON) : 1.9 Low Gate Charge (Typ 7.8nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Power Supply,LED Boost 1 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Descrip

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top