SWD3205B - описание и поиск аналогов

 

SWD3205B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD3205B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD3205B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD3205B даташит

 ..1. Size:612K  samwin
 swd3205b.pdf pdf_icon

SWD3205B

SW3205B N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS 60V TO-252 ID 90A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8m )@VGS=10V RDS(ON) 4.8m Low Gate Charge (Typ 80nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application DC-DC Converter, Inverter, 3 1 Synchronous Rectification 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gener

Другие MOSFET... SWD19N10 , SWD1N60DC , SWD200R10VT , SWD20N20D , SWD2N40DC , SWD2N60DC , SWD2N65K , SWD2N70D , IRF530 , SWD340R10VT , SWD3N80D , SWD4N40DC , SWD4N50K , SWD4N60D , SWD4N60DA , SWD4N60K , SWD4N65DA .

History: RTR025P02FRA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.