SWD3205B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWD3205B
Маркировка: SW3205B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 119 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 80 nC
Время нарастания (tr): 44 ns
Выходная емкость (Cd): 540 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO252
SWD3205B Datasheet (PDF)
..1. Size:612K samwin
swd3205b.pdf
swd3205b.pdf
SW3205B N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS : 60V TO-252 ID : 90A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8m)@VGS=10V RDS(ON) : 4.8m Low Gate Charge (Typ 80nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: DC-DC Converter, Inverter, 3 1 Synchronous Rectification 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gener
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
