Справочник MOSFET. SWD3205B

 

SWD3205B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWD3205B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD3205B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  samwin
 swd3205b.pdf pdf_icon

SWD3205B

SW3205B N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS : 60V TO-252 ID : 90A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8m)@VGS=10V RDS(ON) : 4.8m Low Gate Charge (Typ 80nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: DC-DC Converter, Inverter, 3 1 Synchronous Rectification 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gener

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXTP182N055T | IRC8405 | 2SK3537-01MR | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.