Справочник MOSFET. SWD3205B

 

SWD3205B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWD3205B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SWD3205B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD3205B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  samwin
 swd3205b.pdf pdf_icon

SWD3205B

SW3205B N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS : 60V TO-252 ID : 90A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8m)@VGS=10V RDS(ON) : 4.8m Low Gate Charge (Typ 80nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: DC-DC Converter, Inverter, 3 1 Synchronous Rectification 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gener

Другие MOSFET... SWD19N10 , SWD1N60DC , SWD200R10VT , SWD20N20D , SWD2N40DC , SWD2N60DC , SWD2N65K , SWD2N70D , AO4407 , SWD340R10VT , SWD3N80D , SWD4N40DC , SWD4N50K , SWD4N60D , SWD4N60DA , SWD4N60K , SWD4N65DA .

History: SSB65R090S2 | SUN0460D | VS4603DM6 | TPA120R800A | MTP10N10 | SM6002NSU | APT5015BVFR

 

 
Back to Top

 


 
.