Справочник MOSFET. SWD4N60K

 

SWD4N60K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWD4N60K
   Маркировка: SW4N60K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SWD4N60K

 

 

SWD4N60K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:958K  samwin
 swf4n60k swi4n60k swd4n60k.pdf

SWD4N60K SWD4N60K

SW4N60K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-252 BVDSS : 600V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 1)@VGS=10V RDS(ON) : 1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Adapter,LED, Charger 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3

 7.1. Size:628K  samwin
 sw4n60dc swi4n60dc swd4n60dc.pdf

SWD4N60K SWD4N60K

SW4N60DCN-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252 BVDSS : 600VID : 4A High ruggedness RDS(ON) (Typ 2.0)@VGS=10VRDS(ON) : 2.0 Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 121 2 100% Avalanche Tested2 33 Application: LED,Charge11. Gate 2. Drain 3. Source3General DescriptionThis power MOSFET is produce

 7.2. Size:851K  samwin
 swd4n60da swf4n60da swsi4n60da.pdf

SWD4N60K SWD4N60K

SW4N60DA N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220F/TO-251S MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-251S BVDSS : 600V ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ3.35)@VGS=10V RDS(ON) : 3.35 Low Gate Charge (Typ 9.6nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 7.3. Size:916K  samwin
 swf4n60d swy4n60d swi4n60d swsi4n60d swmi4n60d swd4n60d.pdf

SWD4N60K SWD4N60K

SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9) RDS(ON) : 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

 7.4. Size:610K  samwin
 swi4n60dc swd4n60dc.pdf

SWD4N60K SWD4N60K

SW4N60DC N-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS : 600V ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0)@VGS=10V RDS(ON) : 2.0 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application: LED,Charger 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descrip

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top