Справочник MOSFET. SWD4N65DA

 

SWD4N65DA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWD4N65DA
   Маркировка: SW4N60K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.65 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SWD4N65DA

 

 

SWD4N65DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  samwin
 swf4n65da swn4n65da swd4n65da swnb4n65da.pdf

SWD4N65DA SWD4N65DA

SW4N65DAN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252/TO-251NX-S4 MOSFETFeaturesBVDSS : 650VTO-220F TO-251N TO-252 TO-251NX-S4ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.35)@VGS=10VRDS(ON) :3.35 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability D1 100% Avalanche Tested 1 1122 223 Application: Charger, Adaptor, 333LED, TV-Pow

 6.1. Size:913K  samwin
 swn4n65dd swnc4n65dd swf4n65dd swmn4n65dd swd4n65dd swyn4n65dd.pdf

SWD4N65DA SWD4N65DA

SW4N65DD N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F/TO-220SF /TO-252/TO-220FTN MOSFET Features TO251N TO251N-S2 TO220F TO220SF TO252 TO220FTN BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2.4)@VGS=10V RDS(ON) : 2.4 Low Gate Charge (Typ 16nC) 1 Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 2 1 1 3 2 100% Avalanche Tested 2

 6.2. Size:1049K  samwin
 swf4n65d swn4n65d swsi4n65d swmi4n65d swui4n65d swd4n65d sws4n65d swb4n65d swp4n65d swmqi4n65d.pdf

SWD4N65DA SWD4N65DA

SW4N65D SW4N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-251S/TO-251M/TO-251U/ TO-252/SOT-82/TO-263 /TO-220/TO-251MQ MOSFET Features TO-220F TO-251M TO-251U TO-251N TO-251S BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2)@VGS=10V 1 1 1 1 1 2 2 2 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 RDS(ON) : 2 3 2 3 3 3 3 Improved dv/d

 7.1. Size:1007K  samwin
 swf4n65k2 swn4n65k2 swd4n65k2.pdf

SWD4N65DA SWD4N65DA

SW4N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-220F TO-251N TO-252 ID : 4 A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.10)@VGS=10V RDS(ON) : 1.10 Low Gate Charge (Typ 7.1nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 Application:LED, Charger, Adaptor 2 2 3 3 3 1 1. Gate 2

 7.2. Size:840K  samwin
 swf4n65k swi4n65k swd4n65k.pdf

SWD4N65DA SWD4N65DA

SW4N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-252 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 1)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ13 nC) RDS(ON) :1 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 Application:Adapter,LED,Charger, 2 2 2 3 3 3 TV-Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Sour

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top