SWD4N70L - описание и поиск аналогов

 

SWD4N70L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD4N70L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD4N70L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD4N70L даташит

 ..1. Size:1046K  samwin
swf4n70l swn4n70l swd4n70l.pdfpdf_icon

SWD4N70L

SW4N70L N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS 700V ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8 )@VGS=10V RDS(ON) 0.8 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 1 3 3 Application LED,Charge, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour

 7.1. Size:1038K  samwin
sw4n70d swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdfpdf_icon

SWD4N70L

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3 )@VGS=10V RDS(ON) 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

 7.2. Size:1038K  samwin
swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdfpdf_icon

SWD4N70L

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3 )@VGS=10V RDS(ON) 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

 7.3. Size:907K  samwin
swf4n70k2 swn4n70k2 swd4n70k2.pdfpdf_icon

SWD4N70L

SW4N70K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F TO-251N TO-252 ID 4 A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.15 )@VGS=10V RDS(ON) 1.15 Low Gate Charge (Typ 7.1nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application LED, Charger, Adaptor 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. S

Другие MOSFET... SWD4N60DA , SWD4N60K , SWD4N65DA , SWD4N65DD , SWD4N65K , SWD4N65K2 , SWD4N70K , SWD4N70K2 , 5N60 , SWD4N80D , SWD4N80K , SWD540 , NCE60R360D , NCE60R360 , NCE60R360F , SWD6N60D , SWD6N65D .

History: 2SK1386 | AP0904GMT | RUE002N02 | SWD085R68E7T | HY3410PM | RF4E110BN | HY3410B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.