SWD740D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SWD740D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 161 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SWD740D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SWD740D даташит
swp740d swf740d swd740d.pdf
SW740D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-252 MOSFET Features BVDSS 400V TO-220 TO-220F TO-252 ID 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.4 )@VGS=10V RDS(ON) 0.4 Low Gate Charge (Typ 35nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 2 3 Application LED, DC-DC 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3
Другие MOSFET... NCE60R360 , NCE60R360F , SWD6N60D , SWD6N65D , SWD6N65K , SWD6N70DB , SWD6N80DE , SWD70N10V , 75N75 , SWD7N60K2F , SWD7N65DA , SWD7N65DD , SWD7N65J , SWD7N65K , SWD7N65K2 , SWD7N65M , SWD7N70K .
History: HCF65R320 | 2SK3264-01MR | RUE002N02 | 2SK1212 | HY3410PM | RF4E110BN | HY3410B
History: HCF65R320 | 2SK3264-01MR | RUE002N02 | 2SK1212 | HY3410PM | RF4E110BN | HY3410B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496

