SWD8N70K - описание и поиск аналогов

 

SWD8N70K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD8N70K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD8N70K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD8N70K даташит

 ..1. Size:791K  samwin
swf8n70k swd8n70k.pdfpdf_icon

SWD8N70K

SW8N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252 MOSFET Features TO-252 TO-220F BVDSS 700V ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.55 )@VGS=10V RDS(ON) 0.55 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 2 Application LED, PC Power, Charger 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General

 9.1. Size:1171K  samwin
swp8n65d swi8n65d swd8n65d swf8n65d swnx8n65d.pdfpdf_icon

SWD8N70K

SW8N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F/TO-251NX MOSFET BVDSS 650V Features TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F TO-251NX ID 8A High ruggedness RDS(ON) 1.1 Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 2 3 3 3 3 Application Charg

 9.2. Size:1132K  samwin
sw8n65db swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdfpdf_icon

SWD8N70K

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charge, PC Power 3 3 3 3 1

 9.3. Size:986K  samwin
swf8n80k swi8n80k swn8n80k swd8n80k swu8n80k.pdfpdf_icon

SWD8N70K

SW8N80K N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 MOSFET Features BVDSS 800V TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 TO-262 ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.67 )@VGS=10V RDS(ON) 0.67 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 3 3 3 3 Application Adapter,LE

Другие MOSFET... SWD7N65J , SWD7N65K , SWD7N65K2 , SWD7N65M , SWD7N70K , SWD80N04V , SWD830D1 , SWD8N65D , AON7403 , SWD8N80K , SWD9N10V1 , SWD9N25D , SWD9N50D , SWF10N50K , SWF10N60D , SWF10N65D , SWF10N65K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.