SWD9N50D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWD9N50D
Маркировка: SW9N50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 181 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 31 nC
Время нарастания (tr): 41 ns
Выходная емкость (Cd): 126 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO252
SWD9N50D Datasheet (PDF)
swf9n50d swp9n50d swd9n50d.pdf
SW9N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-220 BVDSS : 500V ID : 9A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.68)@VGS=10V RDS(ON) : 0.68 Low Gate Charge (Typ 31nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 2 Application: DC-DCLEDPC 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source
swd9n10v1.pdf
SW9N10V1 N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 9A Low RDS(ON) (Typ 138m)@VGS=4.5V (Typ 115m)@VGS=10V RDS(ON) : 138m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 5.6nC) Improved dv/dt Capability 115m@VGS=10V 1 2 100% Avalanche Tested 3 Application:DC-DC ConverterInverter 2 Sync
swp9n25d swd9n25d.pdf
SW9N25D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET BVDSS : 250V Features TO-220 TO-252 ID : 9A High ruggedness RDS(ON) : 0.37 Low RDS(ON) (Typ 0.37)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 20.3nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 1 Application: LED , DC-DC 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
