SWD9N50D
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWD9N50D
Маркировка: SW9N50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 9
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 31
nC
trⓘ -
Время нарастания: 41
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 126
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8
Ohm
Тип корпуса:
TO252
Аналог (замена) для SWD9N50D
SWD9N50D
Datasheet (PDF)
..1. Size:1249K samwin
swf9n50d swp9n50d swd9n50d.pdf 
SW9N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-220 BVDSS : 500V ID : 9A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.68)@VGS=10V RDS(ON) : 0.68 Low Gate Charge (Typ 31nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 2 Application: DC-DCLEDPC 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source
9.1. Size:593K samwin
swd9n10v1.pdf 
SW9N10V1 N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 9A Low RDS(ON) (Typ 138m)@VGS=4.5V (Typ 115m)@VGS=10V RDS(ON) : 138m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 5.6nC) Improved dv/dt Capability 115m@VGS=10V 1 2 100% Avalanche Tested 3 Application:DC-DC ConverterInverter 2 Sync
9.2. Size:824K samwin
swp9n25d swd9n25d.pdf 
SW9N25D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET BVDSS : 250V Features TO-220 TO-252 ID : 9A High ruggedness RDS(ON) : 0.37 Low RDS(ON) (Typ 0.37)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 20.3nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 1 Application: LED , DC-DC 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.
