SWF11N65D - описание и поиск аналогов

 

SWF11N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF11N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF11N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF11N65D даташит

 ..1. Size:813K  samwin
 swp11n65d swf11n65d swu11n65d.pdf pdf_icon

SWF11N65D

SW11N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-262 MOSFET TO-220 TO-220F TO-262 BVDSS 650V Features ID 11A High ruggedness RDS(ON) 0.75 Low RDS(ON) (Typ 0.75 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 43nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 2 3 3 3 Application LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... SWD9N50D , SWF10N50K , SWF10N60D , SWF10N65D , SWF10N65K , SWF10N65K2 , SWF10N80D , SWF10N80K2 , IRF3205 , SWF12N60D , SWF13N50D , SWF13N60D , SWF13N60K2 , SWF13N65D , SWF13N65K2 , SWF13N70D , SWF13N80K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.