SWF11N65D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWF11N65D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWF11N65D
SWF11N65D Datasheet (PDF)
swp11n65d swf11n65d swu11n65d.pdf
SW11N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-262 MOSFET TO-220 TO-220F TO-262 BVDSS : 650V Features ID : 11A High ruggedness RDS(ON) : 0.75 Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 43nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 2 3 3 3 Application: LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source
Другие MOSFET... SWD9N50D , SWF10N50K , SWF10N60D , SWF10N65D , SWF10N65K , SWF10N65K2 , SWF10N80D , SWF10N80K2 , IRF3205 , SWF12N60D , SWF13N50D , SWF13N60D , SWF13N60K2 , SWF13N65D , SWF13N65K2 , SWF13N70D , SWF13N80K .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet


