Справочник MOSFET. SWF11N65D

 

SWF11N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWF11N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWF11N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF11N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  samwin
 swp11n65d swf11n65d swu11n65d.pdf pdf_icon

SWF11N65D

SW11N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-262 MOSFET TO-220 TO-220F TO-262 BVDSS : 650V Features ID : 11A High ruggedness RDS(ON) : 0.75 Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 43nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 2 3 3 3 Application: LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... SWD9N50D , SWF10N50K , SWF10N60D , SWF10N65D , SWF10N65K , SWF10N65K2 , SWF10N80D , SWF10N80K2 , IRF3205 , SWF12N60D , SWF13N50D , SWF13N60D , SWF13N60K2 , SWF13N65D , SWF13N65K2 , SWF13N70D , SWF13N80K .

History: IRFP354PBF | WMM015N08HGS | STU6N95K5 | STS65R580SS2TR | HMS85N95 | IRLB8743 | YJS8205A

 

 
Back to Top

 


 
.