Справочник MOSFET. SWF13N50D

 

SWF13N50D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWF13N50D
   Маркировка: SW13N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
   trⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SWF13N50D

 

 

SWF13N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:816K  samwin
 swf13n50d swp13n50d.pdf

SWF13N50D SWF13N50D

SW13N50D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220 MOSFET TO-220F BVDSS : 500V Features TO-220 ID : 13A High ruggedness RDS(ON) : 0.46 RDS(ON) (Typ 0.46)@VGS=10V Gate Charge (Typ 47nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:LED,Charger 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Thi

 8.1. Size:818K  samwin
 swf13n65d.pdf

SWF13N50D SWF13N50D

SW13N65DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.6)@VGS=10VID : 13A Low Gate Charge (Typ 54nC)RDS(ON) : 0.6 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: LED, Charger, PC Power2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produced

 8.2. Size:623K  samwin
 swf13n80k.pdf

SWF13N50D SWF13N50D

SW13N80K N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 800V Features ID : 13A High ruggedness RDS(ON) : 0.44 Low RDS(ON) (Typ 0.44)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This powe

 8.3. Size:592K  samwin
 swf13n70d.pdf

SWF13N50D SWF13N50D

SW13N70D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 700V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.7)@VGS=10V ID : 13A Low Gate Charge (Typ 52nC) RDS(ON) : 0.7 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: LED, TV-Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This pow

 8.4. Size:596K  samwin
 swf13n60d.pdf

SWF13N50D SWF13N50D

SW13N60D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 600V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.5)@VGS=10V ID : 13A Low Gate Charge (Typ 54nC) RDS(ON) : 0.5 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: LED, PC Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This pow

 8.5. Size:878K  samwin
 swf13n60k2 swi13n60k2 swd13n60k2.pdf

SWF13N50D SWF13N50D

SW13N60K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET BVDSS : 600V Features TO-220F TO-251 TO-252 ID : 13A High ruggedness RDS(ON) : 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application: LED, Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3

 8.6. Size:1576K  samwin
 swf13n65k2 swi13n65k2 swd13n65k2 swp13n65k2 swj13n65k2 swb13n65k2 swha13n65k2 swhc13n65k2.pdf

SWF13N50D SWF13N50D

SW13N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N/TO-263/ DFN5*6/QFN8*8 MOSFET Features QFN8*8 TO220F TO251 TO252 TO220 TO262N TO263 DFN5*6 BVDSS : 650V High ruggedness 5 ID : 13A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 0.24) 2 7 6 @VGS=10V 3 RDS(ON) : 0.24 1 1 1 1 4 5 1 1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 2 2 2 1 2 3 4 2 2 3

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top