SWF13N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWF13N60D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SWF13N60D Datasheet (PDF)
swf13n60d.pdf

SW13N60D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 600V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.5)@VGS=10V ID : 13A Low Gate Charge (Typ 54nC) RDS(ON) : 0.5 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: LED, PC Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This pow
swf13n60k2 swi13n60k2 swd13n60k2.pdf

SW13N60K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET BVDSS : 600V Features TO-220F TO-251 TO-252 ID : 13A High ruggedness RDS(ON) : 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application: LED, Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3
swf13n65d.pdf

SW13N65DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.6)@VGS=10VID : 13A Low Gate Charge (Typ 54nC)RDS(ON) : 0.6 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: LED, Charger, PC Power2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produced
swf13n65k2 swi13n65k2 swd13n65k2 swp13n65k2 swj13n65k2 swb13n65k2 swha13n65k2 swhc13n65k2.pdf

SW13N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N/TO-263/ DFN5*6/QFN8*8 MOSFET Features QFN8*8 TO220F TO251 TO252 TO220 TO262N TO263 DFN5*6 BVDSS : 650V High ruggedness 5 ID : 13A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 0.24) 2 7 6 @VGS=10V 3 RDS(ON) : 0.24 1 1 1 1 4 5 1 1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 2 2 2 1 2 3 4 2 2 3
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RU20N65P
History: RU20N65P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet