SWF13N60D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SWF13N60D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26.6 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWF13N60D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SWF13N60D даташит
swf13n60d.pdf
SW13N60D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 600V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.5 )@VGS=10V ID 13A Low Gate Charge (Typ 54nC) RDS(ON) 0.5 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application LED, PC Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This pow
swf13n60k2 swi13n60k2 swd13n60k2.pdf
SW13N60K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET BVDSS 600V Features TO-220F TO-251 TO-252 ID 13A High ruggedness RDS(ON) 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application LED, Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3
swf13n65d.pdf
SW13N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.6 )@VGS=10V ID 13A Low Gate Charge (Typ 54nC) RDS(ON) 0.6 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application LED, Charger, PC Power 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power MOSFET is produced
swf13n65k2 swi13n65k2 swd13n65k2 swp13n65k2 swj13n65k2 swb13n65k2 swha13n65k2 swhc13n65k2.pdf
SW13N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N/TO-263/ DFN5*6/QFN8*8 MOSFET Features QFN8*8 TO220F TO251 TO252 TO220 TO262N TO263 DFN5*6 BVDSS 650V High ruggedness 5 ID 13A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 0.24 ) 2 7 6 @VGS=10V 3 RDS(ON) 0.24 1 1 1 1 4 5 1 1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 2 2 2 1 2 3 4 2 2 3
Другие MOSFET... SWF10N65D , SWF10N65K , SWF10N65K2 , SWF10N80D , SWF10N80K2 , SWF11N65D , SWF12N60D , SWF13N50D , 20N60 , SWF13N60K2 , SWF13N65D , SWF13N65K2 , SWF13N70D , SWF13N80K , SWF14N50D , SWF15N50 , SWF15N50DA .
History: AOTF8T50P | 2SK3922-01 | NCE60R360F | SGM3055 | HCFL65R380 | S2N7002K | BSC13DN30NSFD
History: AOTF8T50P | 2SK3922-01 | NCE60R360F | SGM3055 | HCFL65R380 | S2N7002K | BSC13DN30NSFD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet




