Справочник MOSFET. SWF16N70D

 

SWF16N70D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWF16N70D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWF16N70D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF16N70D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:657K  samwin
 swf16n70d.pdf pdf_icon

SWF16N70D

SW16N70D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 700V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.54)@VGS=10V ID : 16A Low Gate Charge (Typ 67nC) RDS(ON) : 0.54 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: LED, PC Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This pow

 6.1. Size:1075K  samwin
 swu16n70k swb16n70k swf16n70k.pdf pdf_icon

SWF16N70D

SW16N70K N-channel Enhancement mode TO-262/TO-263/TO-220F MOSFET Features TO-262 TO-220F BVDSS : 700V TO-263 High ruggedness ID : 16A Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) RDS(ON) : 0.23 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 Application: DC-DC,LED,PC 2 2 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. S

 8.1. Size:820K  samwin
 sw16n65d swf16n65d.pdf pdf_icon

SWF16N70D

SW16N65DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.46)@VGS=10VID : 16A Low Gate Charge (Typ 68nC)RDS(ON) : 0.46 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: Charger, Adaptor, LED2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produce

 8.2. Size:590K  samwin
 swf16n60d.pdf pdf_icon

SWF16N70D

SW16N60D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 600V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.4)@VGS=10V ID : 16A Low Gate Charge (Typ 68nC) RDS(ON) : 0.4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: LED, PC Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This pow

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWF13N65K2 , SWF13N70D , SWF13N80K , SWF14N50D , SWF15N50 , SWF15N50DA , SWF16N60D , SWF16N60K , 10N60 , SWF16N70K , SWF17N50D , SWF17N80K , SWF18N60D , SWF20N50D , SWF20N65D , SWF20N65K , SWF20N70K .

History: JFPC13N50C | IRF721FI

 

 
Back to Top

 


 
.