Справочник MOSFET. SWF17N50D

 

SWF17N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWF17N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 268 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWF17N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF17N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  samwin
 swf17n50d.pdf pdf_icon

SWF17N50D

SW17N50D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 500V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.29)@VGS=10V ID : 17A Low Gate Charge (Typ 70nC) RDS(ON) : 0.29 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: LED, TV-Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This p

 8.1. Size:697K  samwin
 swf17n80k swp17n80k.pdf pdf_icon

SWF17N50D

SW17N80K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220 MOSFET TO-220F TO-220 BVDSS : 800V Features ID : 17A High ruggedness RDS(ON) : 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 57nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application: LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descr

Другие MOSFET... SWF13N80K , SWF14N50D , SWF15N50 , SWF15N50DA , SWF16N60D , SWF16N60K , SWF16N70D , SWF16N70K , AON6414A , SWF17N80K , SWF18N60D , SWF20N50D , SWF20N65D , SWF20N65K , SWF20N70K , SWF2N60DB , SWF2N65D .

History: APM2055NU | OSG55R190PF | SSI60R260S2 | IRFR9024NTRPBF | NTPF360N80S3Z | WMQ40N03T1 | WMM26N60F2

 

 
Back to Top

 


 
.