Справочник MOSFET. SWF2N65DB

 

SWF2N65DB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWF2N65DB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWF2N65DB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF2N65DB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  samwin
 swf2n65db.pdf pdf_icon

SWF2N65DB

SW2N65DB N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 650V Features ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 11nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 6.1. Size:705K  samwin
 swf2n65d.pdf pdf_icon

SWF2N65DB

SW2N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 650V ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V RDS(ON) : 3.9 Low Gate Charge (Typ 9nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Adapter,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is produc

 8.1. Size:645K  samwin
 swf2n60db.pdf pdf_icon

SWF2N65DB

SW2N60DB N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET BVDSS : 600V Features TO-220F ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 10nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Motor ControlInverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 9.1. Size:783K  samwin
 swf2n90k2.pdf pdf_icon

SWF2N65DB

SW2N90K2 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 900V Features ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 2.2 Low RDS(ON) (Typ 2.2)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS,LED,SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWF17N80K , SWF18N60D , SWF20N50D , SWF20N65D , SWF20N65K , SWF20N70K , SWF2N60DB , SWF2N65D , AON7408 , SWF2N70D , SWF2N90K2 , SWF3N80D , SWF4N100U , SWF4N50K , SWF4N60D , SWF4N60DA , SWF4N60K .

History: BSC100N10NSFG | GSM4210

 

 
Back to Top

 


 
.