SWF2N65DB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWF2N65DB
Маркировка: SW2N65DB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SWF2N65DB Datasheet (PDF)
swf2n65db.pdf
SW2N65DB N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 650V Features ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 11nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power
swf2n65d.pdf
SW2N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 650V ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V RDS(ON) : 3.9 Low Gate Charge (Typ 9nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Adapter,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is produc
swf2n60db.pdf
SW2N60DB N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET BVDSS : 600V Features TO-220F ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 10nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Motor ControlInverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power
swf2n90k2.pdf
SW2N90K2 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS : 900V Features ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 2.2 Low RDS(ON) (Typ 2.2)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS,LED,SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is
swn2n70d swd2n70d swl2n70d swf2n70d.pdf
SW2N70D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-126/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-220F TO-251N TO-252 TO-126 ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5)@VGS=10V RDS(ON) : 5 Low Gate Charge (Typ 11nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application: Charger,LED 3 3 3 3 1 1. Gate 2.
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918