SWF2N90K2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF2N90K2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF2N90K2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF2N90K2 даташит

 ..1. Size:783K  samwin
 swf2n90k2.pdf pdf_icon

SWF2N90K2

SW2N90K2 N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 900V Features ID 2A High ruggedness RDS(ON) 2.2 Low RDS(ON) (Typ 2.2 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application UPS,LED,SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is

 9.1. Size:705K  samwin
 swf2n65d.pdf pdf_icon

SWF2N90K2

SW2N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 650V ID 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.9 )@VGS=10V RDS(ON) 3.9 Low Gate Charge (Typ 9nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application Adapter,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is produc

 9.2. Size:645K  samwin
 swf2n60db.pdf pdf_icon

SWF2N90K2

SW2N60DB N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET BVDSS 600V Features TO-220F ID 2A High ruggedness RDS(ON) 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 10nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 Application Motor Control Inverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

 9.3. Size:1061K  samwin
 swn2n70d swd2n70d swl2n70d swf2n70d.pdf pdf_icon

SWF2N90K2

SW2N70D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-126/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F TO-251N TO-252 TO-126 ID 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5 )@VGS=10V RDS(ON) 5 Low Gate Charge (Typ 11nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application Charger,LED 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWF20N50D, SWF20N65D, SWF20N65K, SWF20N70K, SWF2N60DB, SWF2N65D, SWF2N65DB, SWF2N70D, IRF9540, SWF3N80D, SWF4N100U, SWF4N50K, SWF4N60D, SWF4N60DA, SWF4N60K, SWF4N65DA, SWF4N65DD