SWF6N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF6N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF6N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF6N60D даташит

 ..1. Size:835K  samwin
swf6n60d swd6n60d swn6n60d.pdfpdf_icon

SWF6N60D

SW6N60D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252/TO-251N MOSFET Features TO-220F TO-252 TO-251N BVDSS 600V High ruggedness ID 6A Low RDS(ON) (Typ 1.4 )@VGS=10V RDS(ON) 1.4 Low Gate Charge (Typ 23nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 3 3 3 Application UPS,Inverter,TV-POWER 1. Gate 2. Drain 3. Source

 7.1. Size:653K  samwin
swf6n60k.pdfpdf_icon

SWF6N60D

SW6N60K N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features BVDSS 600V TO-220F ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.72 )@VGS=10V RDS(ON) 0.72 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 3 Application Charger,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is

 8.1. Size:987K  samwin
swf6n65k swi6n65k swn6n65k swd6n65k swu6n65k swmn6n65k.pdfpdf_icon

SWF6N60D

SW6N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 /TO-220SF MOSFET Features TO251 TO220F TO251N TO252 TO262 TO220SF BVDSS 650V High ruggedness ID 6A Low RDS(ON) (Typ 0.8 )@VGS=10V RDS(ON) 0.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 3 3 Applicat

 9.1. Size:1426K  samwin
sw6n80d swn6n80d swf6n80d swd6n80d swu6n80d swj6n80d.pdfpdf_icon

SWF6N60D

SW6N80D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-220F/TO-252/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 TO-262 BVDSS 800V TO-262N ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Low Gate Charge (Typ 32nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 Application LED

Другие IGBT... SWF4N70K, SWF4N70K2, SWF4N70L, SWF4N80D, SWF4N80K, SWF540, SWF5N30D, SWF5N60D, IRFB3607, SWF6N60K, SWF6N65K, SWF6N70D, SWF6N70DB, SWF6N90D, SWF740D, SWF7N60K, SWF7N65DD