SWF6N70D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF6N70D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF6N70D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF6N70D даташит

 ..1. Size:718K  samwin
 swf6n70d.pdf pdf_icon

SWF6N70D

SW6N70D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.4 )@VGS=10V RDS(ON) 1.4 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application Industrial Power,Adaptor, Charger 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

 0.1. Size:2234K  samwin
 sw6n70da swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf pdf_icon

SWF6N70D

SW6N70DA N-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F /TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFET TO251N TO251S TO251U TO252 TO220F Features BVDSS 700V l High ruggedness ID 6A l Low RDS(ON) (Typ 1.7 ) 1 1 RDS(ON) 1.7 1 1 @VGS=10V 2 2 2 2 1 3 3 2 3 3 l Low Gate Charge (Typ 26nC) 3 2 l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NX TO251 TO251MQ l

 0.2. Size:2234K  samwin
 swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf pdf_icon

SWF6N70D

SW6N70DA N-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F /TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFET TO251N TO251S TO251U TO252 TO220F Features BVDSS 700V l High ruggedness ID 6A l Low RDS(ON) (Typ 1.7 ) 1 1 RDS(ON) 1.7 1 1 @VGS=10V 2 2 2 2 1 3 3 2 3 3 l Low Gate Charge (Typ 26nC) 3 2 l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NX TO251 TO251MQ l

 0.3. Size:994K  samwin
 swf6n70db swd6n70db swn6n70db.pdf pdf_icon

SWF6N70D

SW6N70DB N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-252/TO-251N MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F TO-252 TO-251N ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.4 )@VGS=10V RDS(ON) 1.4 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 2 3 Application LED, PC Power, Charger 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWF4N80D, SWF4N80K, SWF540, SWF5N30D, SWF5N60D, SWF6N60D, SWF6N60K, SWF6N65K, CS150N03A8, SWF6N70DB, SWF6N90D, SWF740D, SWF7N60K, SWF7N65DD, SWF7N65K, SWF7N65K2, SWF7N65M