SWF7N65K2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWF7N65K2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWF7N65K2
SWF7N65K2 Datasheet (PDF)
swf7n65k2 swi7n65k2 swn7n65k2 swd7n65k2.pdf

SW7N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 7A Low RDS(ON) (Typ 0.57)@VGS=10V RDS(ON) : 0.57 Low Gate Charge (Typ 14.5nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application: Charge,LED,PC Power 3 3 3
swf7n65k swmn7n65k swi7n65k swn7n65k swd7n65k swp7n65k.pdf

SW7N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220 MOSFET Features TO-220F TO-220SF TO-251 TO-251N TO-252 TO-220 BVDSS : 650V ID : 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.5)@VGS=10V RDS(ON) :0.5 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 Applica
swf7n65dd swn7n65dd swd7n65dd.pdf

SW7N65DD N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 BVDSS : 650V ID : 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application: LED, Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. So
swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF /TO-262N/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11122 Low Gate Charge (Typ 30nC) 223333 Improved dv/dt Capability DDFN5*6TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan
Другие MOSFET... SWF6N65K , SWF6N70D , SWF6N70DB , SWF6N90D , SWF740D , SWF7N60K , SWF7N65DD , SWF7N65K , 18N50 , SWF7N65M , SWF7N70K , SWF830D1 , SWF8N60D , SWF8N65D , SWF8N70K , SWF8N80K , SWF9N50D .
History: NCE40H25LL | IPF09N03LA | 8205S | KCY3310A | IRLU9343 | VN1206N2
History: NCE40H25LL | IPF09N03LA | 8205S | KCY3310A | IRLU9343 | VN1206N2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640