SWF7N65K2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF7N65K2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF7N65K2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF7N65K2 даташит

 ..1. Size:1089K  samwin
 swf7n65k2 swi7n65k2 swn7n65k2 swd7n65k2.pdf pdf_icon

SWF7N65K2

SW7N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 0.57 )@VGS=10V RDS(ON) 0.57 Low Gate Charge (Typ 14.5nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application Charge,LED,PC Power 3 3 3

 6.1. Size:1121K  samwin
 swf7n65k swmn7n65k swi7n65k swn7n65k swd7n65k swp7n65k.pdf pdf_icon

SWF7N65K2

SW7N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-251/TO- 251N/TO-252/TO-220 MOSFET Features TO-220F TO-220SF TO-251 TO-251N TO-252 TO-220 BVDSS 650V ID 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.5 )@VGS=10V RDS(ON) 0.5 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 Applica

 7.1. Size:942K  samwin
 swf7n65dd swn7n65dd swd7n65dd.pdf pdf_icon

SWF7N65K2

SW7N65DD N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 BVDSS 650V ID 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V RDS(ON) 1.1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application LED, Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. So

 7.2. Size:1527K  samwin
 swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf pdf_icon

SWF7N65K2

SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF / TO-262N/DFN5*6 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D DFN5*6 TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWF6N65K, SWF6N70D, SWF6N70DB, SWF6N90D, SWF740D, SWF7N60K, SWF7N65DD, SWF7N65K, BS170, SWF7N65M, SWF7N70K, SWF830D1, SWF8N60D, SWF8N65D, SWF8N70K, SWF8N80K, SWF9N50D