SWF7N70K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF7N70K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF7N70K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF7N70K даташит

 ..1. Size:970K  samwin
swf7n70k swi7n70k swd7n70k swp7n70k swj7n70k.pdfpdf_icon

SWF7N70K

SW7N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N MOSFET BVDSS 700V TO-262N TO-220F TO-251 TO-252 TO-220 Features ID 7A High ruggedness RDS(ON) 0.81 Low RDS(ON) (Typ 0.81 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 2 2 1 1 2 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 3 3 3 Application

 7.1. Size:972K  samwin
sw7n70d swd7n70d swn7n70d swj7n70d swf7n70d.pdfpdf_icon

SWF7N70K

SW7N70D N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251N/TO-262N/TO-220F MOSFET Features TO-262N TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS 700V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.2 )@VGS=10V RDS(ON) 1.2 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 3 2 2 Application LED, Charger, TV-Power 3

 7.2. Size:1002K  samwin
swd7n70d swn7n70d swj7n70d swf7n70d.pdfpdf_icon

SWF7N70K

SW7N70D N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251N/TO-262N/TO-220F MOSFET Features TO-262N TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS 700V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.2 )@VGS=10V RDS(ON) 1.2 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 3 2 2 Application LED, Charger, TV-Power 3

 9.1. Size:843K  samwin
swf7n60k swi7n60k.pdfpdf_icon

SWF7N70K

SW7N60K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251MOSFET Features TO-220F TO-251 BVDSS 600V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 0.5 )@VGS=10V RDS(ON) 0.5 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Adaptor LED 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Descr

Другие IGBT... SWF6N70DB, SWF6N90D, SWF740D, SWF7N60K, SWF7N65DD, SWF7N65K, SWF7N65K2, SWF7N65M, IRFP250, SWF830D1, SWF8N60D, SWF8N65D, SWF8N70K, SWF8N80K, SWF9N50D, SWH040R03VLT, SWH045R02VT